Samsung เปิดตัวชิป eUFS 2.1 ขนาด 1TB คาดทันพร้อมใช้ใน Galaxy S10+

Samsung Electronics ประกาศเปิดตัวชิปหน่วยความจำสำหรับสมาร์ทโฟน eUFS 2.1 ขนาดความจุ 1TB ตัวแรกของวงการ โดยที่ชิปตัวนี้ได้เริ่มเข้าสู่การผลิตหลักและคาดว่าน่าจะได้ใช้งานในสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ของค่ายอย่าง Galaxy S10+ เป็นรุ่นแรก

ชิพ eUFS 1TB มีขนาดเท่ากับชิป 512GB (11.5×13 มม.) แต่ได้พื้นที่ความจำเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าโดยใช้เทคโนโลยีรวมเลเยอร์หน่วยความจำ V-NAND แบบ 16 ชั้น

ขณะที่อัตราการอ่านข้อมูลแบบ sequential read อยู่ที่ 1000MB/s และความเร็วในการเขียนต่อเนื่องที่ 260MB/s เร็วกว่า eUFS ความจุ 512GB ที่มี sequential read ที่ 860MB/s และเร็วกว่า SSD ขนาด 2.5 นิ้ว สองเท่า

ที่มา: news.samsung.com, gsmarena.com